温州加热功率比例可调真空烘箱调试调整

低温对产品的影响1、橡胶等柔韧性材料的弹性降低，并产⽣破裂；2、⾦属和塑料脆性增⼤，导致破裂或产⽣裂纹；3、由于材料的收缩系数不同，在温变率较⼤时，会引起活动部件卡死或转动不灵；4、润滑剂粘性增⼤或凝固，活动部件之间摩擦⼒增⼤，引起动作滞缓，甚⾄停⽌⼯作；5、元器件电参数发⽣变化，影响产品的电性能；6、结冰或结霜引起产品结构破坏或受潮等。⼆、低温环境效应1、使材料硬化及脆化。2、不同材料的不同收缩特性⽽使零件卡死。3、由于润滑剂增加黏性⽽失去润滑作⽤。4、电性改变（如电阻,电容等）。5、变压器和机电组件功能改变。6、冲击基座变硬。7、物破裂,如铵硝酸。8、使试件产⽣裂痕、脆化并改变耐冲击强度及减低强度。9、玻璃产⽣静⼒疲劳。10、使⽔凝结和冰冻。11、减低⼈的灵巧性及使听⼒和视⼒退化。12、改变燃烧速率。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体，一目了然。温州加热功率比例可调真空烘箱调试调整

真空烘箱有以下特点：短加热时间，与传统干燥烘箱比加热时间减少50%以上。真空烘箱因为是由电力提供热能，而湿的物品是会导电的，故在使用上宜小心不要有漏电的现象发生，故一般烘箱都要接地使用，以保安全。若没有地线也要确认烘箱没有漏电的现象；若有轻微的漏电现象，可试着将插座拔起后将插脚以相反方向再插入，若没有漏电现象可小心使用，若仍有漏电现象则应立即停用。广泛应用于医药,冶金,电子五金,食品,化工,PCB烘烤等等行业。台州防止氧化真空烘箱规格尺寸真空箱应在相对湿度≤85%RH，周围无腐蚀性气体、无强烈震动源及强电磁场存在的环境中使用。

    热对流真空烘箱，包括真空箱体和密封门，真空箱体的箱口采用法兰面，此面与箱体密封门紧密贴合，避免真空泄漏。真空箱体内壁设置无孔镜面不锈钢板13、有孔镜面不锈钢板14，这两种不锈钢板组合配对装配，与无孔镜面不锈钢板14靠箱体内壁，有孔镜面不锈钢板13在箱体内表面，两钢板间距为5—15mm，无孔镜面不锈钢板用来反射热量，热量通过小孔回到箱体中，减少热量损失。在箱体顶部内壁设置有孔镜面不锈钢板12。箱体顶部和下部左右两边各设置有氮气进气口，可以实现氮气快速扩散到箱体内部各地方。真空箱体在工作的时候，真空度控制在10～50pa之间，温度控制在80～110℃，这样电池中的水份会变成水蒸汽扩散在箱体中，原箱体中也有少量的空气，真空干燥箱保温保压一段时间后，箱体中的水蒸汽达到一定的量后，为了将水蒸汽排出，需向箱体中充入氮气，因为氮气的分子质量比水蒸汽的分子质量大，为了能快速将水蒸汽排挤到箱体上方，方便将其从真空口抽出，所以在箱体下方布置2-3个进氮气进气口。这样的设置方式可以减少静置时间，氮气快速扩散，将水蒸汽排挤到箱体上方，再通过真空泵将水蒸汽抽出。真空箱体氮气进气口预先对氮气进行加热，因为氮气进到高温箱体中时。

真空烘箱由高真空度真空泵，箱体，工作室，电加热器及数字温度器组成。能够在设定的真空度条件下稳定工作，适用于医药、化工、电子、器、材料、零件的真空乾燥处理。箱体外壳以冷扎板喷塑，美观悦目。内箱以不锈钢板密焊耐压工艺处理，配上门上的硅胶密封压垫，保证箱内的气密性，并采用玻璃纤维保温，提供高效绝热，节省能耗效果。发热板安装在内箱体四侧，以保证温度均匀性。广用于医药、食品、轻工、化工、电子等行业作干燥之用，具有干燥物品速度快、污染小、不对干燥物品的内在质量造成破坏的优点。尽量控制真空泵的流量和扬程在标牌上注明的范围内。

互感器生产工艺流程：包扎→二次线圈绕制→二次线圈检测→一次线圈绕制→装模→真空浇注→加热固化→脱模→试验。其中：真空浇注：装入模具内的互感器半成品加热干燥达到工艺要求后，送入互感器用环氧真空浇注设备内，将配置好的环氧混合材料采用真空浇注的方式注入模具内，进行真空脱气处理，达到工艺要求的真空度后，破空取出模具送入电加热烘箱加热固化。脱模：电加热烘箱内的环氧混合料(环氧树脂和硅微粉)，在模具内经过加热固化成形后，将模具从烘箱内取出，打开模具，取出互感器产品。真空烘箱真空度≤133Pa，可有效进行真空脱处理，完成真空浇注工艺本所物料的干燥周期，每隔一段时间观察一下，历力表，温度表，和箱体内的变化，来处理。温州加热功率比例可调真空烘箱调试调整

防止潮湿气体进入真空泵，造成真空泵故障。温州加热功率比例可调真空烘箱调试调整

    为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性，通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤，在真空或干燥氮气的机台中，以150～200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分，在此温度下，晶片表面大约保留了一个单分子层的水。涂胶后，晶片须经过一次烘烤，称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常，软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高，但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定，典型的软烘温度是90～100℃，时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。在晶片显影后，为了后面的高能工艺，如离子注入和等离子体刻蚀，也须对晶片进行高温烘烤，称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于：减少驻波效应；激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。 温州加热功率比例可调真空烘箱调试调整